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SND1019DNAQ-8/TR

SND1019DNAQ Dual N-Channel, 100V, 46A，Power MOSFET The SND1019DNAQ is N-Channel enhancement MOS Field Effect Transistor. Uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. This device is suitable for use in high performance automotive DC-DC conversion, power switch and charging circuit. Standard Product SND1019DNAQ is in compliance with RoHS.

产品参数
  • Configuration：Dual N
  • VDS (V) (Max.)：100
  • VGS(V) (Max.)：+20V/-16V
  • VGS(th) (V) (Typ.)：1.6/2.0/2.4
  • Ron(mΩ)@ 10V：/14.5/19
  • Ron(mΩ)@ 4.5V：/20.5/28
  • Id(A)：46
  • MPQ：5k
  • 封装：PDFN5*6-8L
  • 状态：Active
下载（应用手册请联系我司业务）
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